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DMP3056LDM
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal P, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3056LDMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4821
Re-reeling (Rollos a medida)65T8231RL
Cinta adhesiva65T8231
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.702 | $3.51 |
| Total Precio | $3.51 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.702 |
| 50+ | $0.550 |
| 100+ | $0.466 |
| 250+ | $0.398 |
| 500+ | $0.342 |
| 1000+ | $0.298 |
| 2500+ | $0.252 |
| 5000+ | $0.221 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.231 |
| 9000+ | $0.227 |
| 15000+ | $0.214 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3056LDMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4821
Re-reeling (Rollos a medida)65T8231RL
Cinta adhesiva65T8231
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMP3056LDM es un MOSFET de modo de mejora de canal P con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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