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DMP2067LVT-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8706
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.587 |
| 10+ | $0.362 |
| 25+ | $0.322 |
| 50+ | $0.282 |
| 100+ | $0.243 |
| 250+ | $0.209 |
| 500+ | $0.174 |
| 1000+ | $0.156 |
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Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8706
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOT-26
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Diseño de Transistor
TSOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto