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DMP2066LSS-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 6.5 A, 0.04 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8705
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.948 |
| 10+ | $0.587 |
| 25+ | $0.519 |
| 50+ | $0.450 |
| 100+ | $0.382 |
| 250+ | $0.338 |
| 500+ | $0.294 |
| 1000+ | $0.265 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8705
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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