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DMP2035UFCL-7
MOSFET, P-CH, 20V, 6.6A, U-DFN1616 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035UFCL-7
No. Parte Newark28AK8696
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.690 |
| 25+ | $0.619 |
| 50+ | $0.549 |
| 100+ | $0.478 |
| 250+ | $0.437 |
| 500+ | $0.395 |
| 1000+ | $0.360 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035UFCL-7
No. Parte Newark28AK8696
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorU-DFN1616
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia740mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
U-DFN1616
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
740mW
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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