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DMP2035U
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal P, 20 V, 3.6 A, 35 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035U
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4805
Re-reeling (Rollos a medida)65T8230
Cinta adhesiva65T8230
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Hoja de datos técnicos
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.54 |
| 10+ | $0.42 |
| 25+ | $0.30 |
| 50+ | $0.25 |
| 100+ | $0.22 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.14 |
| 6000+ | $0.12 |
| 12000+ | $0.11 |
| 18000+ | $0.10 |
| 30000+ | $0.09 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035U
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4805
Re-reeling (Rollos a medida)65T8230
Cinta adhesiva65T8230
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd810mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia810mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMP2035U de Diode Inc es un MOSFET de modo de mejora de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo presenta baja resistencia, baja capacitancia de entrada, velocidad de conmutación rápida y baja fuga de entrada/salida, por lo que es ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Reconocido por UL
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -20V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ± 8V
- Corriente de drenaje continua (Id) -3.6A a 25°C
- Disipación de potencia (Pd) de 810mW
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia encendido de 41mohm a Vgs -1.8V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
810mW
Disipación de Potencia
810mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMP2035U
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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