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DMP2022LSS-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2022LSS-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo79AH1276
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6585
Cinta adhesiva82Y6585
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.290 | $1.29 |
| Total Precio | $1.29 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.848 |
| 25+ | $0.762 |
| 50+ | $0.675 |
| 100+ | $0.589 |
| 250+ | $0.533 |
| 500+ | $0.477 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.359 |
| 5000+ | $0.348 |
| 10000+ | $0.347 |
| 15000+ | $0.327 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2022LSS-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo79AH1276
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6585
Cinta adhesiva82Y6585
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente770
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMP2022LSS-13 is a single P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA = +25°C
- Drain current is -10A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -90A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2.5W
- Static drain-source on-resistance is 13mohm max at VGS = -10V, ID = -10A, TA = +25°C
- SO-8 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
770
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMP2022LSS-13
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto