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DMP2008UFG-7
MOSFET, P-CH, -20V, -54A, POWERDI3333
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2008UFG-7
No. Parte Newark07AH3797
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.397 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.289 |
| 4000+ | $0.280 |
| 8000+ | $0.271 |
| 12000+ | $0.267 |
| 20000+ | $0.265 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2008UFG-7
No. Parte Newark07AH3797
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id54A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia41W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Diseño de Transistor
PowerDI 3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
41W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMP2008UFG-7
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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