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DMP1055UFDB-7
MOSFET DOBLE CANAL P 12V/3.9A, U-DFN2020
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)36AJ3595RL
Cinta adhesiva36AJ3595
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.080 | $5.40 |
| Total Precio | $5.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.080 |
| 10+ | $0.641 |
| 25+ | $0.574 |
| 50+ | $0.507 |
| 100+ | $0.440 |
| 250+ | $0.389 |
| 500+ | $0.339 |
| 1000+ | $0.306 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1055UFDB-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)36AJ3595RL
Cinta adhesiva36AJ3595
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.059ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.059ohm
Diseño de TransistorU-DFN2020
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.36W
Disipación de Potencia de Canal P1.36W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.059ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.36W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.059ohm
Diseño de Transistor
U-DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
1.36W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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