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DMP1045UQ-7
MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.524 |
| 10+ | $0.336 |
| 25+ | $0.299 |
| 50+ | $0.262 |
| 100+ | $0.225 |
| 250+ | $0.201 |
| 500+ | $0.177 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1045UQ-7
No. Parte Newark88AH8624
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550mV
Disipación de Potencia800mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
800mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMP1045UQ-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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