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DMP1008UCB9-7
MOSFET, P-CH, 8V, 9.8A, 150DEG C, 0.84W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1008UCB9-7
No. Parte Newark68AH9553
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semanas
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.578 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1008UCB9-7
No. Parte Newark68AH9553
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8V
Intensidad Drenador Continua Id9.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorU-WLB1515
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia840mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4700µohm
Diseño de Transistor
U-WLB1515
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
840mW
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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