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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN67D8LW-13
No. Parte Newark39AH6602
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semanas
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN67D8LW-13
No. Parte Newark39AH6602
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id240
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd320mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia320
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
240
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Disipación de Potencia Pd
320mW
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
320
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto