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DMN62D0SFD-7
MOSFET, N-CH, 60V, 0.54A, X1-DFN1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0SFD-7
No. Parte Newark28AK8635
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.429 |
| 10+ | $0.273 |
| 25+ | $0.243 |
| 50+ | $0.212 |
| 100+ | $0.182 |
| 250+ | $0.163 |
| 500+ | $0.143 |
| 1000+ | $0.130 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0SFD-7
No. Parte Newark28AK8635
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorX1-DFN1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia430mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X1-DFN1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Disipación de Potencia
430mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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