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DMN5L06K-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 800 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN5L06K-7
No. Parte Newark25R4527
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El DMN5L06K-7 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202. Este MOSFET de 50V de nueva generación está diseñado para minimizar RDS (ENCENDIDO) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para usar en la administración de energía de la batería y el cambio de carga.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Muy bajo voltaje de umbral de puerta
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2kV
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto