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DMN55D0UT-7
MOSFET, N-CH, 50V, SOT-523-3
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN55D0UT-7
No. Parte Newark82Y6577
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN55D0UT-7
No. Parte Newark82Y6577
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id160mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.1ohm
Diseño de TransistorSOT-523
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-523
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
160mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidad del producto