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DMN3190LDWQ-7
MOSFET DOBLE, CANAL N, 30V, 1A, SOT-363
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3190LDWQ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AJ7120RL
Cinta adhesiva12AJ7120
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.631 | $0.63 |
| Total Precio | $0.63 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.631 |
| 50+ | $0.410 |
| 100+ | $0.294 |
| 250+ | $0.246 |
| 500+ | $0.197 |
| 1000+ | $0.177 |
| 2500+ | $0.154 |
| 5000+ | $0.131 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3190LDWQ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AJ7120RL
Cinta adhesiva12AJ7120
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N320mW
Disipación de Potencia de Canal P320mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
320mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
320mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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