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DMN3042L-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3042L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3767
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3766RL
Cinta adhesiva07AH3766
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.503 | $0.50 |
| Total Precio | $0.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.503 |
| 50+ | $0.257 |
| 100+ | $0.232 |
| 250+ | $0.227 |
| 500+ | $0.223 |
| 1000+ | $0.218 |
| 2500+ | $0.213 |
| 5000+ | $0.209 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.137 |
| 6000+ | $0.134 |
| 9000+ | $0.132 |
| 15000+ | $0.129 |
| 30000+ | $0.126 |
| 75000+ | $0.123 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3042L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3767
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3766RL
Cinta adhesiva07AH3766
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0265ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd720mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4V
Disipación de Potencia720mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
DMN3042L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 5.8A at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 30A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.72W at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0265ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
720mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
720mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto