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DMN2310UFD-7
POWER MOSFET, 20V, 1.9A, U-DFN1212-3 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2310UFD-7
No. Parte Newark76AJ4260
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.581 |
| 10+ | $0.314 |
| 25+ | $0.279 |
| 50+ | $0.244 |
| 100+ | $0.209 |
| 250+ | $0.203 |
| 500+ | $0.189 |
| 1000+ | $0.156 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2310UFD-7
No. Parte Newark76AJ4260
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorU-DFN1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia1.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
U-DFN1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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