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DMN2230UQ-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark07AH3763
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.670 |
| 10+ | $0.414 |
| 25+ | $0.365 |
| 50+ | $0.314 |
| 100+ | $0.265 |
| 250+ | $0.233 |
| 500+ | $0.200 |
| 1000+ | $0.179 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2230UQ-7Copiar
No. Parte Newark07AH3763
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia600
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
600
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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