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DMN2004TK-7
MOSFET, N-CH, 20V, 0.54A, SOT-523 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2004TK-7
No. Parte Newark28AK8482
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.402 |
| 10+ | $0.306 |
| 25+ | $0.262 |
| 50+ | $0.216 |
| 100+ | $0.172 |
| 250+ | $0.162 |
| 500+ | $0.151 |
| 1000+ | $0.141 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2004TK-7
No. Parte Newark28AK8482
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-523
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-523
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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