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DMN15H310SK3-13
MOSFET, N-CH, 150V, 8.3A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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232 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.020 |
| 10+ | $0.564 |
| 25+ | $0.509 |
| 50+ | $0.453 |
| 100+ | $0.398 |
| 250+ | $0.358 |
| 500+ | $0.319 |
| 1000+ | $0.288 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN15H310SK3-13
No. Parte Newark28AK8481
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id8.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia32W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Disipación de Potencia
32W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto