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DMN10H700S-13
MOSFET, N-CH, 100V, 0.7A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H700S-13
No. Parte Newark28AK8468
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.381 |
| 10+ | $0.232 |
| 25+ | $0.203 |
| 50+ | $0.174 |
| 100+ | $0.145 |
| 250+ | $0.127 |
| 500+ | $0.107 |
| 1000+ | $0.096 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H700S-13
No. Parte Newark28AK8468
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id700mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia400mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
400mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
700mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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