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DMHT10H032LFJ-13
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHT10H032LFJ-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
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Re-reeling (Rollos a medida)12AJ7100RL
Cinta adhesiva12AJ7100
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.280 | $2.28 |
| Total Precio | $2.28 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 50+ | $1.390 |
| 100+ | $1.190 |
| 250+ | $1.170 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $1.120 |
| 2500+ | $1.090 |
| 5000+ | $1.070 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHT10H032LFJ-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AJ7100RL
Cinta adhesiva12AJ7100
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia900mW
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN5045
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia de Canal N900
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal N
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033
Disipación de Potencia
900mW
Diseño de Transistor
DFN5045
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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