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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.845 |
| 10+ | $0.546 |
| 25+ | $0.488 |
| 50+ | $0.430 |
| 100+ | $0.372 |
| 250+ | $0.335 |
| 500+ | $0.297 |
| 1000+ | $0.273 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG9926UDM-7
No. Parte Newark28AK8429
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N980mW
Disipación de Potencia de Canal P980mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
980mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
980mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
