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DMG6968U-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6968U-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4748
Re-reeling (Rollos a medida)12T2027RL
Cinta adhesiva12T2027
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.611 | $3.05 |
| Total Precio | $3.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.611 |
| 10+ | $0.386 |
| 15+ | $0.355 |
| 25+ | $0.324 |
| 50+ | $0.286 |
| 125+ | $0.253 |
| 250+ | $0.248 |
| 500+ | $0.243 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.162 |
| 9000+ | $0.144 |
| 15000+ | $0.141 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6968U-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4748
Re-reeling (Rollos a medida)12T2027RL
Cinta adhesiva12T2027
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd810mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500mV
Disipación de Potencia810
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El DMG6968U-7 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
810mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
810
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza DMG6968U-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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