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DMG6602SVT
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 500+ | $0.137 |
| 1000+ | $0.123 |
| 2500+ | $0.111 |
| 12000+ | $0.104 |
| 27000+ | $0.103 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6602SVT
No. Parte Newark65T8213
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id3.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.038
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.095
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.12
Disipación de Potencia de Canal P1.12
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMG6602SVT de Diode Inc es un MOSFET de modo de mejora de par complementario de montaje en superficie en paquete TSOT-26. Este MOSFET presenta una capacitancia de entrada baja, una velocidad de conmutación rápida y una fuga de entrada/salida baja, diseñado para minimizar la resistencia en estado y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia y retroiluminación.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Reconocido por UL
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 30V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ± 20V
- Corriente continua de drenaje de 3.4A
- Disipación de potencia (Pd) de 1.27W
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia al estado de 38mohm a Vgs de 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.095
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.12
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.038
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
1.12
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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