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DMG6602SVT
MOSFET DUAL,CAN COMPLEMENTARIO N Y P
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6602SVTCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark65T8213
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6602SVTCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark65T8213
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id3.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.095ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N840mW
Disipación de Potencia de Canal P840mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El DMG6602SVT de Diode Inc es un MOSFET de modo de mejora de par complementario de montaje en superficie en paquete TSOT-26. Este MOSFET presenta una capacitancia de entrada baja, una velocidad de conmutación rápida y una fuga de entrada/salida baja, diseñado para minimizar la resistencia en estado y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia y retroiluminación.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Reconocido por UL
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 30V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ± 20V
- Corriente continua de drenaje de 3.4A
- Disipación de potencia (Pd) de 1.27W
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia al estado de 38mohm a Vgs de 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.095ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
840mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
840mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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