Imprimir página
DMG6601LVT-7
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4747
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568RL
Cinta adhesiva82Y6568
Su número de pieza
12 En Inventario
370,456 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.580 | $0.58 |
| Total Precio | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.580 |
| 50+ | $0.274 |
| 100+ | $0.244 |
| 250+ | $0.239 |
| 500+ | $0.234 |
| 1000+ | $0.229 |
| 2500+ | $0.224 |
| 5000+ | $0.220 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.179 |
| 6000+ | $0.169 |
| 9000+ | $0.158 |
| 15000+ | $0.155 |
| 30000+ | $0.152 |
| 75000+ | $0.149 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4747
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568RL
Cinta adhesiva82Y6568
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.034ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N850mW
Disipación de Potencia de Canal P850mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Complementary MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.034ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
850mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.034ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
850mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto