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DMG4407SSS-13
MOSFET, CANAL P, 30V, 9.9A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8410
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.958 |
| 10+ | $0.595 |
| 25+ | $0.555 |
| 50+ | $0.515 |
| 100+ | $0.475 |
| 250+ | $0.417 |
| 500+ | $0.359 |
| 1000+ | $0.316 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.96
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8410
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id9.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.45W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.155°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
1.45W
Temperatura de Trabajo Máx.
155°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto