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DMG2305UX-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2305UX-13
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6563
Cinta adhesiva82Y6563
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25,576 En Inventario
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.307 |
| 10+ | $0.184 |
| 25+ | $0.165 |
| 50+ | $0.146 |
| 100+ | $0.127 |
| 250+ | $0.112 |
| 500+ | $0.097 |
| 1000+ | $0.082 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2305UX-13
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6563
Cinta adhesiva82Y6563
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.4W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia1.4
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMG2305UX-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT23 package. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters and motor controls.
- Dain-source voltage is -20V
- Static drain-source on-resistance is 100mohm(VGS = -2.5V, ID = -3.4A)
- Gate-source voltage is ±8V
- Pulsed drain current is -15A
- Power dissipation is 1.4W
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.4W
Disipación de Potencia
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza DMG2305UX-13
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65