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DMG2301U-7
MOSFET, CANAL P, 20V, 2.7A, SOT-23
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| Fabricante | DIODES INC. |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | DMG2301U-7Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)28AK8399RL Cinta adhesiva28AK8399 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
2,670 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.563 | $2.81 |
| Total Precio | $2.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.563 |
| 10+ | $0.350 |
| 15+ | $0.322 |
| 25+ | $0.293 |
| 50+ | $0.257 |
| 125+ | $0.226 |
| 250+ | $0.221 |
| 500+ | $0.217 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | DIODES INC. |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | DMG2301U-7Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)28AK8399RL Cinta adhesiva28AK8399 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 20V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 2.7A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.08ohm |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 4.5V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1V |
| Disipación de Potencia | 800mW |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 20V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 4.5V |
| Disipación de Potencia | 800mW |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 2.7A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.08ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1V |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | Unknown |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |