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DMG1012UW-7
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT-323
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012UW-7
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3734
Cinta adhesiva07AH3734
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.347 | $0.35 |
| Total Precio | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.347 |
| 10+ | $0.214 |
| 25+ | $0.190 |
| 50+ | $0.165 |
| 100+ | $0.140 |
| 250+ | $0.124 |
| 500+ | $0.107 |
| 1000+ | $0.096 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012UW-7
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3734
Cinta adhesiva07AH3734
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.45ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia290mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza DMG1012UW-7
2 productos encontrados
Resumen del producto
DMG1012UW-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.29W at TA = +25°C
- SOT323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.45ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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