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DMG1012T-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 630 mA, 400 mohm, SOT-523, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012T-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4729
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6555RL
Cinta adhesiva82Y6555
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.390 | $1.39 |
| Total Precio | $1.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 50+ | $0.650 |
| 100+ | $0.577 |
| 250+ | $0.565 |
| 500+ | $0.554 |
| 1000+ | $0.542 |
| 2500+ | $0.531 |
| 5000+ | $0.519 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.303 |
| 9000+ | $0.269 |
| 15000+ | $0.264 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012T-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4729
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6555RL
Cinta adhesiva82Y6555
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id630mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-523
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia280mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
DMG1012T-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 0.63A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.28W at TA = +25°C
- SOT523 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-523
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
630mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
280mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMG1012T-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto