Imprimir página
DMC4015SSD-13
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 40V, 8.6A ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC4015SSD-13
No. Parte Newark32AK9126
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
814 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.978 |
| 100+ | $0.864 |
| 250+ | $0.791 |
| 500+ | $0.717 |
| 1000+ | $0.670 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC4015SSD-13
No. Parte Newark32AK9126
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.015ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.029ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.7W
Disipación de Potencia de Canal P1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.029ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.7W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.015ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto