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DMC25D1UVT-7
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 25V, 0.5A ROHS COMPLIANT: YES
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1,390 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.731 |
| 10+ | $0.475 |
| 25+ | $0.424 |
| 50+ | $0.374 |
| 100+ | $0.323 |
| 250+ | $0.290 |
| 500+ | $0.257 |
| 1000+ | $0.236 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC25D1UVT-7
No. Parte Newark28AK8368
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P500mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3W
Disipación de Potencia de Canal P1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
500mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.055ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
4ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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