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BSS84W-7-F
MOSFET POT, CANAL P, 50V, 130MA
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS84W-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4576
Re-reeling (Rollos a medida)25R4432RL
Cinta adhesiva25R4432
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274 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.368 | $0.37 |
| Total Precio | $0.37 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.368 |
| 50+ | $0.171 |
| 100+ | $0.149 |
| 250+ | $0.148 |
| 500+ | $0.146 |
| 1000+ | $0.145 |
| 2500+ | $0.143 |
| 5000+ | $0.142 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.076 |
| 9000+ | $0.067 |
| 15000+ | $0.066 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS84W-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4576
Re-reeling (Rollos a medida)25R4432RL
Cinta adhesiva25R4432
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id130mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10ohm
Resistencia de Activación Rds(on)10ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El BSS84W-7-F es un FET de modo de mejora de canal P con carcasa de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 puntas de plomo según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130mA
Resistencia de Activación Rds(on)
10ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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