Imprimir página
BSS138-7-F
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 200mA, SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138-7-F
No. Parte Newark12T1442
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
14,249 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.158 |
| 10+ | $0.097 |
| 25+ | $0.085 |
| 50+ | $0.073 |
| 100+ | $0.061 |
| 250+ | $0.058 |
| 500+ | $0.055 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.16
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138-7-F
No. Parte Newark12T1442
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSS138-7-F is a 50V N-channel enhancement mode MOSFET with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. The case is made of molded plastic (UL94V-0). The MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed and low input capacitance.
- Low on-resistance
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300mW
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS138-7-F
6 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto