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BSS138-7-F
MOSFET, N CH, 50V, 0,2A, SOT23-3
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4534
Re-reeling (Rollos a medida)12T1442RL
Cinta adhesiva12T1442
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.244 | $0.24 |
| Total Precio | $0.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.244 |
| 50+ | $0.112 |
| 100+ | $0.099 |
| 250+ | $0.095 |
| 500+ | $0.090 |
| 1000+ | $0.086 |
| 2500+ | $0.081 |
| 5000+ | $0.075 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.056 |
| 9000+ | $0.049 |
| 15000+ | $0.048 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4534
Re-reeling (Rollos a medida)12T1442RL
Cinta adhesiva12T1442
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
BSS138-7-F is a 50V N-channel enhancement mode MOSFET with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. The case is made of molded plastic (UL94V-0). The MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed and low input capacitance.
- Low on-resistance
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS138-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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