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2N7002W-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 800 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002W-7-F
No. Parte Newark25R5685
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Hoja de datos técnicos
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.191 |
| 10+ | $0.139 |
| 25+ | $0.123 |
| 50+ | $0.108 |
| 100+ | $0.092 |
| 250+ | $0.077 |
| 500+ | $0.062 |
| 1000+ | $0.055 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.068 |
| 6000+ | $0.065 |
| 12000+ | $0.062 |
| 18000+ | $0.058 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002W-7-F
No. Parte Newark25R5685
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13.5ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002W-7-F es un FET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Paquete ultra pequeño de montaje en superficie
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Resistencia de Activación Rds(on)
13.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002W-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65