Imprimir página
2N7002W-7-F
MOSFET, N CHANNEL, 60 V, 800mA, SOT-323
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002W-7-F
No. Parte Newark
Hilado completo76AK7655
Cinta adhesiva25R5685
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
269,721 En Inventario
¿Necesita más?
2721 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.230 |
| 10+ | $0.149 |
| 25+ | $0.133 |
| 50+ | $0.118 |
| 100+ | $0.102 |
| 250+ | $0.086 |
| 500+ | $0.069 |
| 1000+ | $0.062 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.067 |
| 6000+ | $0.064 |
| 12000+ | $0.061 |
| 18000+ | $0.057 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002W-7-F
No. Parte Newark
Hilado completo76AK7655
Cinta adhesiva25R5685
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13.5ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002W-7-F es un FET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Paquete ultra pequeño de montaje en superficie
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Resistencia de Activación Rds(on)
13.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002W-7-F
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
