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FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002K-7
No. Parte Newark25R5681
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.197 |
| 10+ | $0.122 |
| 25+ | $0.107 |
| 50+ | $0.093 |
| 100+ | $0.078 |
| 250+ | $0.068 |
| 500+ | $0.058 |
| 1000+ | $0.052 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.041 |
| 6000+ | $0.039 |
| 12000+ | $0.037 |
| 18000+ | $0.035 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002K-7
No. Parte Newark25R5681
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002K-7 es un MOSFET de modo de mejora de canal N diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(on)) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia. Cuenta con caja de plástico verde moldeado, estaño recocido mate sobre terminales de aleación 42 y marco de plomo soldable según los estándares MIL-STD-202.
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2kV
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002K-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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