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BSZ019N03LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ019N03LSATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8007
Cinta adhesiva47Y8007
Rango de ProductoOptiMOS Series
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.420 | $2.42 |
| Total Precio | $2.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.420 |
| 10+ | $1.420 |
| 25+ | $1.280 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.978 |
| 250+ | $0.925 |
| 500+ | $0.870 |
| 1000+ | $0.760 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ019N03LSATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8007
Cinta adhesiva47Y8007
Rango de ProductoOptiMOS Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id149
Resistencia de Activación Rds(on)0.0016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0019
Diseño de TransistorTSDSON-FL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia69
Disipación de Potencia Pd69W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter (server, VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0016ohm
Diseño de Transistor
TSDSON-FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
69
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
149
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0019
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSZ019N03LSATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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