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ZXMP10A18KTC
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 5.9 A, 150 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP10A18KTCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6618
Re-reeling (Rollos a medida)12T2276RL
Cinta adhesiva12T2276
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.180 | $10.90 |
| Total Precio | $10.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.180 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.060 |
| 250+ | $0.970 |
| 500+ | $0.879 |
| 1000+ | $0.861 |
| 2500+ | $0.844 |
| 5000+ | $0.826 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.686 |
| 5000+ | $0.660 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP10A18KTCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6618
Re-reeling (Rollos a medida)12T2276RL
Cinta adhesiva12T2276
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id5.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd4.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia4.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP10A18KTC es un MOSFET de modo de mejora de canal P con caja de plástico moldeado y acabado de estaño mate soldable recocido sobre terminales de marco de plomo de cobre según el estándar MIL-STD-202. Este MOSFET de trinchera de nueva generación de Zetex presenta una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia de encendido y una conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Caja de plástico moldeado con clasificación de llama UL94V-0
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
4.3W
Disipación de Potencia
4.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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