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SI3410DV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 8 A, 0.0195 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark35R6208
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark35R6208
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0195
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd4.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTSOP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia4.1
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0195
Disipación de Potencia Pd
4.1W
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia
4.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3410DV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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