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SCT2H12NZGC11
MOSFET, N-CH, 1.7KV, TO-3PFM
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT2H12NZGC11
No. Parte Newark79Y4716
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.100 |
| 10+ | $4.040 |
| 25+ | $3.980 |
| 50+ | $3.920 |
| 100+ | $3.860 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT2H12NZGC11
No. Parte Newark79Y4716
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id3.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)1.15ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.15ohm
Diseño de TransistorTO-3PFM
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia35W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.15ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
35W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
3.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
1.15ohm
Diseño de Transistor
TO-3PFM
Disipación de Potencia Pd
35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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