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SSM6N815R,LF(T
MOSFET, N-CH, 100V, 2A, TSOP-F
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N815R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark01AM0649
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.460 |
| 10+ | $0.376 |
| 25+ | $0.333 |
| 50+ | $0.296 |
| 100+ | $0.254 |
| 250+ | $0.223 |
| 500+ | $0.177 |
| 1000+ | $0.170 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N815R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark01AM0649
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.103ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTSOP-F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.8W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.103ohm
Diseño de Transistor
TSOP-F
Disipación de Potencia de Canal N
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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