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IRF9389TRPBF
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 30 V, 6.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9389TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4762
Cinta adhesiva91Y4762
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.836 | $0.84 |
| Total Precio | $0.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.836 |
| 10+ | $0.546 |
| 25+ | $0.489 |
| 50+ | $0.433 |
| 100+ | $0.376 |
| 250+ | $0.340 |
| 500+ | $0.303 |
| 1000+ | $0.279 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9389TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4762
Cinta adhesiva91Y4762
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id6.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.027
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.022
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® adecuado para su uso en interruptores de lado alto y bajo para inversor, interruptores de lado alto y bajo para medio puente genérico.
- MOSFET de canal P de lado alto
- Esquema estándar de la industria
- Compatible con la técnica de montaje en superficie existente
- Aumento de la densidad de potencia
- Circuitos de transmisión más fáciles
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Fabricación más sencilla
- Más amigable con el medio ambiente
- Mayor fiabilidad
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.022
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Intensidad Drenador Continua Id
6.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.027
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto