MOSFETs Dobles | Newark Electrónica

Aviso Importante:

Debido a cambios recientes en nuestros sistemas, los tiempos de procesamiento pueden ser mayores. Agradecemos su comprensión y confianza.

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

Comparar	No. De parte del fabricante	Código de Orden	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio	Quantity	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P	Corriente de Drenaje Continua Id Canal N	Corriente de Drenaje Continua Id Canal P	Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente	Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	No. de Pines	Disipación de Potencia de Canal N	Disipación de Potencia de Canal P	Temperatura de Trabajo Máx.	Calificación

	IRF7309TRPBF	19K8240 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON MOSFET Dual Canal complementario N y P 30 V 30 V 4 A 4 A 0.05 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$1.290 50+$0.651 100+$0.588 250+$0.533 500+$0.478 Más precios…		Complementary N and P Channel	30	30V	4A	30	4	4	0.05	0.05	SOIC	8Pines	1.4	1.4	150	-
	SSM6N57NU,LF(T	09AK7993 Data Sheet RoHS Fecha y lote	TOSHIBA MOSFET DUAL CANAL N 30V 30V		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.400 50+$0.307 100+$0.256 250+$0.214 500+$0.180 Más precios…		N Channel	30	0	0	30	4	4	0.0391	-	SOT-1118	6Pines	1	1	150	-
	STS4DNF60L	26M3734 Data Sheet RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS MOSFET Doble Canal N 60 V 4 A 0.045 ohms SOIC Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.750 50+$1.570 100+$1.320 250+$1.210 500+$1.100 Más precios…		N Channel	60	60V	4A	-	4	-	0.055	-	SOIC	8Pines	2.5	-	150	-
	SSM6P49NU,LF(T	09AK7995 Data Sheet RoHS Fecha y lote	TOSHIBA MOSFET Dual Canal P 20 V 20 V 4 A 4 A 0.036 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.586 50+$0.450 100+$0.375 250+$0.314 500+$0.264 Más precios…		P Channel	20	0	0	20	4	4	0.036	0.036	UDFN	6Pines	1	1	150	-
	SSM6L61NU,LF(T	09AK7990 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET Dual Canal N y P 20 V 20 V 4 A 4 A 0.025 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.469 50+$0.360 100+$0.300 250+$0.252 500+$0.211 Más precios…		N and P Channel	20	0	0	20	4	4	0.025	0.025	UDFN	6Pines	1	1	150	-
	SI9933CDY-T1-E3	60AC3821 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Doble Canal P 20 V 4 A 0.048 ohms SOIC Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.910 50+$0.399 100+$0.311 250+$0.284 500+$0.256 Más precios…		P Channel	20	20V	4A	20	4	4	-	0.048	SOIC	8Pines	3.1	3.1	150	-
	SSM6N67NU,LF(T	01AM0646 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET Dual Canal N 30 V 4 A 0.0391 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.500 50+$0.384 100+$0.320 250+$0.268 500+$0.225 Más precios…		Canal N	30	-	-	-	4	-	0.0391	-	UDFN	6Pines	2	-	150	AEC-Q101
	SSM6N55NU,LF(T	03AM3064 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET Dual Doble Canal N 30 V 4 A 0.046 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.477 50+$0.366 100+$0.305 250+$0.255 500+$0.215 Más precios…		Doble Canal N	30	-	-	-	4	-	0.046	-	SOT-1118	6Pines	1	-	150	-
	SSM6N67NU,LXGF(T	01AM0647 Data Sheet RoHS	TOSHIBA MOSFET Dual Canal N 30 V 4 A 0.0391 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.448 50+$0.366 100+$0.324 250+$0.288 500+$0.247 Más precios…		Canal N	30	-	-	-	4	-	0.0391	-	UDFN	6Pines	2	-	150	AEC-Q101
	DMP4050SSD-13	28AK8787 Data Sheet RoHS	DIODES INC. MOSFET Dual Canal P 40 V 40 V 4 A 4 A 0.038 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$2.100 10+$1.120 15+$1.080 25+$1.040 50+$1.000 Más precios…		Canal P	40	0	0	40	4	4	0.038	0.038	SOIC	8Pines	1.25	1.25	150	-
	NTMD4N03R2G	10N9583 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET Dual Canal N 30 V 30 V 4 A 4 A 0.06 ohm		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	2500+$0.505 5000+$0.495 7500+$0.485 12500+$0.475 25000+$0.465 Más precios…		Canal N	30	30V	4A	30	4	4	0.06	0.048	SOIC	8Pines	2	2	150	-
	STS4DNF60L.	82AC0160 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET Dual Doble Canal N 60 V 4 A 0.055 ohm		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	2500+$1.040 5000+$1.010 7500+$0.935 12500+$0.865 25000+$0.841 Más precios…		Doble Canal N	60	60V	4A	-	4	-	0.055	-	SOIC	8Pines	2	-	150	-

Artículos por página:

1-12 de 12 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS