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STS4DNF60L
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 4 A, 0.045 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60LCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26M3734
Cinta adhesiva26M3734
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.090 | $2.09 |
| Total Precio | $2.09 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 10+ | $1.690 |
| 25+ | $1.470 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.090 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60LCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26M3734
Cinta adhesiva26M3734
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- STripFET™ power MOSFET adecuado para aplicaciones de conmutación
- Proceso basado en tiras de tamaño único
- Esquema estándar para un fácil montaje de montaje en superficie automatizado
- Unidad de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STS4DNF60L
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto