50V FETs RF | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 50V FETs RF en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de FETs RF, como 50V, 130, 30VDC & 40V FETs RF de los principales fabricantes del mundo, incluidos: NXP.

Filtros aplicados

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

:

50V

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	BLF573,112	81R1954 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 900 mA 300 W 10 MHz 500 MHz SOT-502A		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	900mA	300W	300W	10MHz	500MHz	SOT-502A	2Pines	SOT-502A	225°C	Canal N	Brida
	BLL6H0514-25,112	70R2889 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 2.5 A 25 W 500 MHz 1.4 GHz SOT-467C		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	2.5A	25W	25W	500MHz	1.4GHz	SOT-467C	2Pines	SOT-467C	200°C	Canal N	Brida
	BLF571,112	70R2782 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 50 mA 20 W 10 MHz 500 MHz SOT-467C		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	50mA	20W	20W	10MHz	500MHz	SOT-467C	2Pines	SOT-467C	225°C	Canal N	Brida
	BLA6H0912-500,112	70R2739 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 54 A 500 W 960 MHz 1.215 GHz SOT-634A		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	54A	500W	500W	960MHz	1.215GHz	SOT-634A	2Pines	SOT-634A	200°C	Canal N	Brida
	BLF578,112	70R2785 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 88 A 1.2 kW 10 MHz 500 MHz SOT-539A		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	88A	1.2kW	1.2kW	10MHz	500MHz	SOT-539A	4Pines	SOT-539A	225°C	Canal N	Brida
	BLF881,112	70R2883 Data Sheet RoHS	NXP Transistor FET RF 50 V 500 mA 33 W 10 MHz 1 GHz SOT-467C		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50V	500mA	33W	33W	10MHz	1GHz	SOT-467C	2Pines	SOT-467C	200°C	Canal N	Brida

Artículos por página:

1-6 de 6 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS