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IXGN200N170
IGBT MODULE, 1.7KV, 280A, 1.25KW
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXGN200N170Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark29AK0449
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $80.670 |
| 5+ | $71.630 |
| 10+ | $62.590 |
| 25+ | $61.980 |
| 50+ | $61.360 |
| 100+ | $60.750 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$80.67
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXGN200N170Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark29AK0449
Configuración IGBTSingle
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua280A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.1V
Disipación de Potencia1.25kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorSOT-227B
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Corriente del Colector Continua
280A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
1.25kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
SOT-227B
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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