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SKIM909GD066HD
Módulo IGBT, 899 A, 600 V, 175 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKIM909GD066HD
No. Parte Newark77R2509
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente de Colector DC899A
Corriente del Colector Continua899A
Voltaje de Saturación Colector Emisor600V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo900mV
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de Transistor-
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines33Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor900mV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
899A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
900mV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
-
Corriente del Colector Continua
899A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
900mV
Diseño de Transistor
-
No. de Pines
33Pines
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto